Laboratoire & Optique
Puce photonique LNOI pour applications quantiques
LNOI Photonic Chip – TURINGQ
Les puces photoniques LNOI (Lithium Niobate On Insulator) de TuringQ offrent une plateforme de référence pour les applications quantiques photoniques nécessitant une faible perte optique, une bande passante ultra-large et une intégration à grande échelle. Elles s'appuient sur une technologie compatible CMOS, permettant la fabrication en wafer-level de circuits photoniques complexes.
Ces puces intègrent des fonctions avancées telles que modulateurs électro-optiques, matrices photoniques programmables, sources quantiques et convertisseurs de longueur d'onde. Elles sont utilisées pour le calcul quantique photonique, les communications quantiques (QKD), le traitement optique haute vitesse et la recherche en optique intégrée avancée.
Informations techniques complémentaires
- Très faible perte de propagation : < 0,1 dB/cm, pour préserver la cohérence des signaux quantiques sur puce.
- Bande passante électro-optique ultra-large : > 100 GHz, pour un contrôle rapide des états photoniques.
- Architecture multi-couches avancée : plus de 10 couches, pour l'intégration de circuits photoniques complexes.
- Matrice photonique programmable : jusqu'à 160 x 160, pour des architectures de calcul quantique à grande échelle.
- Compatibilité CMOS : fabrication sur wafers 6 à 8 pouces, pour une production reproductible et scalable.
Demander un devis
Applications
- Calcul quantique photonique
- Communications quantiques et distribution quantique de clés (QKD)
- Traitement optique haute vitesse
- Recherche en optique intégrée avancée
- Développement de processeurs quantiques photoniques reconfigurables
- Génération et manipulation d’états de lumière intriqués
Caractéristiques techniques
- Matériau : LNOI (Lithium Niobate On Insulator)
- Perte de propagation : < 0,1 dB/cm
- Bande passante électro-optique : > 100 GHz
- Architecture : multi-couches, > 10 couches
- Matrice photonique programmable : jusqu’à 160 x 160
- Compatibilité : procédés CMOS
- Format wafer : 6 à 8 pouces
- Fonctions intégrées disponibles : modulateurs électro-optiques, matrices photoniques programmables, sources quantiques, convertisseurs de longueur d’onde